Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  Z-FET™
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  2 N-Channel (Half Bridge)
• fet функциясы
  Silicon Carbide (SiC)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  1200V (1.2kV)
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  423A (Tc)
• rds on (макс) @ id, vgs
  5.7mOhm @ 300A, 20V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.3V @ 15mA (Typ)
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  1025nC @ 20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  11700pF @ 600V
• қуат - макс
  1660W
• Жұмыс температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Chassis Mount
• қаптама / қорап
  Module, Screw Terminals
• жеткізуші құрылғы пакеті
  Module