Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  C2M™
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Not For New Designs
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  1700 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  72A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  20V
• rds on (макс) @ id, vgs
  59mOhm @ 50A, 20V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  4V @ 18mA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  188 nC @ 20 V
• vgs (макс)
  +25V, -10V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  3672 pF @ 1000 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  520W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-247-4
• қаптама / қорап
  TO-247-4