SIDR680DP-T1-GE3

SIDR680DP-T1-GE3

Өндіруші

Vishay / Siliconix

Өнім санаты

транзисторлар – феттер, мосфеттер – жалғыз

Сипаттама

MOSFET N-CH 80V 32.8A/100A PPAK

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    TrenchFET® Gen IV
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлігінің күйі
    Active
  • фет түрі
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • көз кернеуіне ағызу (vdss)
    80 V
  • ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
    32.8A (Ta), 100A (Tc)
  • жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
    7.5V, 10V
  • rds on (макс) @ id, vgs
    2.9mOhm @ 20A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ идентификатор
    3.4V @ 250µA
  • қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
    105 nC @ 10 V
  • vgs (макс)
    ±20V
  • кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
    5150 pF @ 40 V
  • fet функциясы
    -
  • қуат шығыны (максимум)
    6.25W (Ta), 125W (Tc)
  • Жұмыс температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Surface Mount
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    PowerPAK® SO-8DC
  • қаптама / қорап
    PowerPAK® SO-8

SIDR680DP-T1-GE3 Баға сұрау

Қоймада 10800
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
3.02000
Мақсатты баға:
Барлығы:3.02000

Деректер тізімі