SI7850DP-T1-E3

SI7850DP-T1-E3

Өндіруші

Vishay / Siliconix

Өнім санаты

транзисторлар – феттер, мосфеттер – жалғыз

Сипаттама

MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлігінің күйі
    Active
  • фет түрі
    N-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • көз кернеуіне ағызу (vdss)
    60 V
  • ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
    6.2A (Ta)
  • жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
    4.5V, 10V
  • rds on (макс) @ id, vgs
    22mOhm @ 10.3A, 10V
  • vgs(th) (макс) @ идентификатор
    3V @ 250µA
  • қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
    27 nC @ 10 V
  • vgs (макс)
    ±20V
  • кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
    -
  • fet функциясы
    -
  • қуат шығыны (максимум)
    1.8W (Ta)
  • Жұмыс температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Surface Mount
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    PowerPAK® SO-8
  • қаптама / қорап
    PowerPAK® SO-8

SI7850DP-T1-E3 Баға сұрау

Қоймада 11855
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
1.81000
Мақсатты баға:
Барлығы:1.81000

Деректер тізімі