SI3477DV-T1-GE3

SI3477DV-T1-GE3

Өндіруші

Vishay / Siliconix

Өнім санаты

транзисторлар – феттер, мосфеттер – жалғыз

Сипаттама

MOSFET P-CH 12V 8A 6TSOP

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    TrenchFET®
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлігінің күйі
    Active
  • фет түрі
    P-Channel
  • технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • көз кернеуіне ағызу (vdss)
    12 V
  • ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
    8A (Tc)
  • жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
    1.8V, 4.5V
  • rds on (макс) @ id, vgs
    17.5mOhm @ 9A, 4.5V
  • vgs(th) (макс) @ идентификатор
    1V @ 250µA
  • қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
    90 nC @ 10 V
  • vgs (макс)
    ±10V
  • кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
    2600 pF @ 6 V
  • fet функциясы
    -
  • қуат шығыны (максимум)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Жұмыс температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Surface Mount
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    6-TSOP
  • қаптама / қорап
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

SI3477DV-T1-GE3 Баға сұрау

Қоймада 26443
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
0.78000
Мақсатты баға:
Барлығы:0.78000

Деректер тізімі