Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  400 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  350mA (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  3.6Ohm @ 210mA, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  4V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  17 nC @ 10 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  170 pF @ 25 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  1W (Ta)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  4-DIP, Hexdip, HVMDIP
• қаптама / қорап
  4-DIP (0.300", 7.62mm)