STGB15M65DF2

STGB15M65DF2

Өндіруші

STMicroelectronics

Өнім санаты

транзисторлар - igbts - жалғыз

Сипаттама

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    650 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    30 A
  • ток – коллектор импульсі (icm)
    60 A
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    2V @ 15V, 15A
  • қуат - макс
    136 W
  • ауысу энергиясы
    90µJ (on), 450µJ (off)
  • енгізу түрі
    Standard
  • қақпа заряды
    45 nC
  • td (қосу/өшіру) @ 25°c
    24ns/93ns
  • сынақ жағдайы
    400V, 15A, 12Ohm, 15V
  • кері қалпына келтіру уақыты (trr)
    142 ns
  • Жұмыс температурасы
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Surface Mount
  • қаптама / қорап
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    D2PAK

STGB15M65DF2 Баға сұрау

Қоймада 11092
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
1.95000
Мақсатты баға:
Барлығы:1.95000

Деректер тізімі