Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  SiCFET (Silicon Carbide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  1200 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  10A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  18V
• rds on (макс) @ id, vgs
  585mOhm @ 3A, 18V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  4V @ 900µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  27 nC @ 18 V
• vgs (макс)
  +22V, -6V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  463 pF @ 800 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  85W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  175°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-247
• қаптама / қорап
  TO-247-3