RGTH50TS65DGC11

RGTH50TS65DGC11

Өндіруші

ROHM Semiconductor

Өнім санаты

транзисторлар - igbts - жалғыз

Сипаттама

IGBT 650V 50A 174W TO-247N

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tube
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    650 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    50 A
  • ток – коллектор импульсі (icm)
    100 A
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 25A
  • қуат - макс
    174 W
  • ауысу энергиясы
    -
  • енгізу түрі
    Standard
  • қақпа заряды
    49 nC
  • td (қосу/өшіру) @ 25°c
    27ns/94ns
  • сынақ жағдайы
    400V, 25A, 10Ohm, 15V
  • кері қалпына келтіру уақыты (trr)
    58 ns
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Through Hole
  • қаптама / қорап
    TO-247-3
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    TO-247N

RGTH50TS65DGC11 Баға сұрау

Қоймада 9977
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
3.34000
Мақсатты баға:
Барлығы:3.34000

Деректер тізімі