RGS30TSX2HRC11

RGS30TSX2HRC11

Өндіруші

ROHM Semiconductor

Өнім санаты

транзисторлар - igbts - жалғыз

Сипаттама

10US SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 12

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tube
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    1200 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    30 A
  • ток – коллектор импульсі (icm)
    45 A
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    2.1V @ 15V, 15A
  • қуат - макс
    267 W
  • ауысу энергиясы
    740µJ (on), 600µJ (off)
  • енгізу түрі
    Standard
  • қақпа заряды
    41 nC
  • td (қосу/өшіру) @ 25°c
    30ns/70ns
  • сынақ жағдайы
    600V, 15A, 10Ohm, 15V
  • кері қалпына келтіру уақыты (trr)
    -
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Through Hole
  • қаптама / қорап
    TO-247-3
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    TO-247N

RGS30TSX2HRC11 Баға сұрау

Қоймада 8669
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
6.43000
Мақсатты баға:
Барлығы:6.43000