RGCL80TK60DGC11

RGCL80TK60DGC11

Өндіруші

ROHM Semiconductor

Өнім санаты

транзисторлар - igbts - жалғыз

Сипаттама

IGBT

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tube
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    600 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    35 A
  • ток – коллектор импульсі (icm)
    160 A
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    1.8V @ 15V, 40A
  • қуат - макс
    57 W
  • ауысу энергиясы
    1.11mJ (on), 1.68mJ (off)
  • енгізу түрі
    Standard
  • қақпа заряды
    98 nC
  • td (қосу/өшіру) @ 25°c
    53ns/227ns
  • сынақ жағдайы
    400V, 40A, 10Ohm, 15V
  • кері қалпына келтіру уақыты (trr)
    58 ns
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Through Hole
  • қаптама / қорап
    TO-3PFM, SC-93-3
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    TO-3PFM

RGCL80TK60DGC11 Баға сұрау

Қоймада 10860
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
5.01000
Мақсатты баға:
Барлығы:5.01000