BSM300D12P2E001

BSM300D12P2E001

Өндіруші

ROHM Semiconductor

Өнім санаты

транзисторлар – феттер, мосфеттер – массивтер

Сипаттама

MOSFET 2N-CH 1200V 300A

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Tray
  • бөлігінің күйі
    Active
  • фет түрі
    2 N-Channel (Half Bridge)
  • fet функциясы
    Silicon Carbide (SiC)
  • көз кернеуіне ағызу (vdss)
    1200V (1.2kV)
  • ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
    300A (Tc)
  • rds on (макс) @ id, vgs
    -
  • vgs(th) (макс) @ идентификатор
    4V @ 68mA
  • қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
    -
  • кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
    35000pF @ 10V
  • қуат - макс
    1875W
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Chassis Mount
  • қаптама / қорап
    Module
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    Module

BSM300D12P2E001 Баға сұрау

Қоймада 968
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
710.45000
Мақсатты баға:
Барлығы:710.45000

Деректер тізімі