SGB15N120ATMA1

SGB15N120ATMA1

Өндіруші

Rochester Electronics

Өнім санаты

транзисторлар - igbts - жалғыз

Сипаттама

IGBT, 30A I(C), 1200V V(BR)CES,

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Bulk
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    NPT
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    1.2 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    30 A
  • ток – коллектор импульсі (icm)
    52 A
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    3.6V @ 15V, 15A
  • қуат - макс
    198 W
  • ауысу энергиясы
    1.9mJ
  • енгізу түрі
    Standard
  • қақпа заряды
    130 nC
  • td (қосу/өшіру) @ 25°c
    18ns/580ns
  • сынақ жағдайы
    800V, 15A, 33Ohm, 15V
  • кері қалпына келтіру уақыты (trr)
    -
  • Жұмыс температурасы
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Surface Mount
  • қаптама / қорап
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    PG-TO263-3-2

SGB15N120ATMA1 Баға сұрау

Қоймада 12263
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
2.65000
Мақсатты баға:
Барлығы:2.65000

Деректер тізімі

Жүктеп алу