Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  40 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  10A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  1.8V, 4.5V
• rds on (макс) @ id, vgs
  112mOhm @ 5A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  -
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  8 nC @ 4.5 V
• vgs (макс)
  ±10V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  650 pF @ 20 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  1W (Ta), 15W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  IPAK/TP
• қаптама / қорап
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA