Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  TrenchMOS™
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  55 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  4.9A (Ta), 10.7A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  -
• rds on (макс) @ id, vgs
  40mOhm @ 5A, 5V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2V @ 1mA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  17 nC @ 5 V
• vgs (макс)
  ±13V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  1400 pF @ 25 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  1.8W (Ta), 8.3W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  SC-73
• қаптама / қорап
  TO-261-4, TO-261AA