Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• транзистор түрі
  1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
• ток - коллектор (ic) (макс)
  100mA, 3A
• кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
  50V, 20V
• резистор - негіз (r1)
  2.2kOhms
• резистор – эмитент негізі (r2)
  2.2kOhms
• тұрақты ток күшеюі (hfe) (мин) @ ic, vce
  30 @ 20mA, 5V / 150 @ 2A, 2V
• vce қанықтылығы (макс) @ ib, ic
  150mV @ 500µA, 10mA / 355mV @ 300mA, 3A
• ток - коллектордың үзілуі (макс)
  1µA, 100nA
• жиілік – ауысу
  100MHz
• қуат - макс
  1.5W
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-SO