Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Obsolete
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  30 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  6.4A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  4.5V, 10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  12mOhm @ 10.3A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.5V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  15 nC @ 4.5 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  950 pF @ 24 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  830mW (Ta)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-SOIC
• қаптама / қорап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)