Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Obsolete
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  30 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  4.9A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  4.5V, 10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  38mOhm @ 4.9A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  9.1 nC @ 10 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  462 pF @ 24 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  1.3W (Ta)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  ChipFET™
• қаптама / қорап
  8-SMD, Flat Lead