-
-
Factory-Direct арқылы төмен баға
Делдалды жою үшін тікелей электроника зауытымен жұмыс істеңіз. Төмен және жеңілдік бағасы бар жаңа түпнұсқа
-
Қауіпсіз және сапалы сенімділік
Тамаша өнім сапасы үшін сапаны сақтандыру жүйесі. Уақытында, әр уақытта сапалы компоненттермен қамтамасыз ету.
-
15 миллионнан астам қорлар
100+ әйгілі әлемдік өндіруші, 15 миллионнан астам тауарлық-материалдық қорлар. Тікелей жеңілдік бағасымен сатып алуға қолдау көрсететін қор қолжетімді.
-
Тұтынушыға қолайлы қызметтер
Сіздің бірегей талаптарыңызға жекелендірілген бір терезе шешімі. 12 тілдегі веб-сайтта қолдау, көбірек ыңғайлы және жылдам қызметтер.
MIC4123YME
Өндіруші
Өнім санаты
Сипаттама
DUAL 3A-PEAK LOW-SIDE MOSFET DRI
RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды
Техникалық сипаттамалар
-
сериясы-
-
пакетBulk
-
бөлігінің күйіActive
-
басқарылатын конфигурацияLow-Side
-
арна түріIndependent
-
жүргізушілер саны2
-
қақпа түріN-Channel, P-Channel MOSFET
-
кернеу – қоректендіру4.5V ~ 20V
-
логикалық кернеу - vil, vih0.8V, 2.4V
-
ток - ең жоғары шығыс (көз, раковина)3A, 3A
-
енгізу түріInverting
-
жоғары бүйірлік кернеу - макс (жүктеу)-
-
көтерілу/төмендеу уақыты (типі)11ns, 11ns
-
Жұмыс температурасы-40°C ~ 125°C (TJ)
-
монтаждау түріSurface Mount
-
қаптама / қорап8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad
-
жеткізуші құрылғы пакеті8-SOIC
