Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  55 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  51A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  -
• rds on (макс) @ id, vgs
  13.5mOhm @ 31A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  3V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  36 nC @ 5 V
• vgs (макс)
  ±16V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  1620 pF @ 25 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  80W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  PG-TO263-3-2
• қаптама / қорап
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB