Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N and P-Channel
• fet функциясы
  Logic Level Gate
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  20V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  5.2A, 4.3A
• rds on (макс) @ id, vgs
  50mOhm @ 2.6A, 4.5V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  700mV @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  20nC @ 4.5V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  660pF @ 15V
• қуат - макс
  2W
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-SO