Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Obsolete
• фет түрі
  2 P-Channel (Dual)
• fet функциясы
  Logic Level Gate
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  20V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  2.3A
• rds on (макс) @ id, vgs
  250mOhm @ 1A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  3V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  25nC @ 10V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  290pF @ 15V
• қуат - макс
  2W
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-SO