Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  25 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  28A (Ta), 125A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  4.5V, 10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  1.7mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.1V @ 50µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  25 nC @ 4.5 V
• vgs (макс)
  ±16V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  2.51 pF @ 13 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  2.1W (Ta), 42W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  DIRECTFET™ S3C
• қаптама / қорап
  DirectFET™ Isometric S3C