FS75R12KT4B11BOSA1

FS75R12KT4B11BOSA1

Өндіруші

Rochester Electronics

Өнім санаты

транзисторлар – igbts – модульдер

Сипаттама

FS75R12 - IGBT MODULE

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Bulk
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • конфигурация
    Three Phase Inverter
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    1.2 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    75 A
  • қуат - макс
    385 W
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 75A
  • ток - коллектордың үзілуі (макс)
    1 mA
  • кіріс сыйымдылығы (cies) @ vce
    4.3 nF @ 25 V
  • енгізу
    Standard
  • ntc термисторы
    Yes
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 150°C
  • монтаждау түрі
    Chassis Mount
  • қаптама / қорап
    Module
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    Module

FS75R12KT4B11BOSA1 Баға сұрау

Қоймада 1543
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
88.18000
Мақсатты баға:
Барлығы:88.18000

Деректер тізімі