FF200R33KF2CNOSA1

FF200R33KF2CNOSA1

Өндіруші

Rochester Electronics

Өнім санаты

транзисторлар – igbts – модульдер

Сипаттама

IGBT MODULE

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    -
  • пакет
    Bulk
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    -
  • конфигурация
    2 Independent
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    3.3 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    330 A
  • қуат - макс
    2.2 W
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    4.25V @ 15V, 200A
  • ток - коллектордың үзілуі (макс)
    5 mA
  • кіріс сыйымдылығы (cies) @ vce
    25 nF @ 25 V
  • енгізу
    Standard
  • ntc термисторы
    No
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 125°C
  • монтаждау түрі
    Chassis Mount
  • қаптама / қорап
    Module
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    Module

FF200R33KF2CNOSA1 Баға сұрау

Қоймада 853
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
1015.01000
Мақсатты баға:
Барлығы:1015.01000

Деректер тізімі