Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  PowerTrench®
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Obsolete
• фет түрі
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  30 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  5.3A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  4.5V, 10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  59mOhm @ 5.3A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  3V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  8 nC @ 5 V
• vgs (макс)
  ±25V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  535 pF @ 15 V
• fet функциясы
  Schottky Diode (Isolated)
• қуат шығыны (максимум)
  900mW (Ta)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-SOIC
• қаптама / қорап
  8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)