Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  55 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  39A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  16.5mOhm @ 28A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  4V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  72 nC @ 10 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  1.696 pF @ 25 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  3.8W (Ta), 107W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 175°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-262
• қаптама / қорап
  TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA