Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  -
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  P-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  40 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  430mA (Tj)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  5V, 10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  2Ohm @ 1A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.4V @ 1mA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  -
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  150 pF @ 20 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  740mW (Ta)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-92-3
• қаптама / қорап
  TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)