Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Not For New Designs
• igbt түрі
  -
• кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
  3600 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  70 A
• ток – коллектор импульсі (icm)
  220 A
• vce(қосу) (макс) @ vge, ic
  3.4V @ 15V, 20A
• қуат - макс
  430 W
• ауысу энергиясы
  15.5mJ (on), 4.3mJ (off)
• енгізу түрі
  Standard
• қақпа заряды
  110 nC
• td (қосу/өшіру) @ 25°c
  18ns/238ns
• сынақ жағдайы
  1500V, 20A, 10Ohm, 15V
• кері қалпына келтіру уақыты (trr)
  1.7 µs
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-268