Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Bulk
• бөлігінің күйі
  Active
• igbt түрі
  -
• кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
  1700 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  16 A
• ток – коллектор импульсі (icm)
  40 A
• vce(қосу) (макс) @ vge, ic
  6V @ 15V, 10A
• қуат - макс
  150 W
• ауысу энергиясы
  1.2mJ (off)
• енгізу түрі
  Standard
• қақпа заряды
  65 nC
• td (қосу/өшіру) @ 25°c
  15ns/160ns
• сынақ жағдайы
  1360V, 10A, 10Ohm, 15V
• кері қалпына келтіру уақыты (trr)
  360 ns
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-268