Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  BIMOSFET™
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Active
• igbt түрі
  NPT
• кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
  3000 V
• ток - коллектор (ic) (макс)
  38 A
• ток – коллектор импульсі (icm)
  120 A
• vce(қосу) (макс) @ vge, ic
  2.7V @ 15V, 14A
• қуат - макс
  200 W
• ауысу энергиясы
  -
• енгізу түрі
  Standard
• қақпа заряды
  62 nC
• td (қосу/өшіру) @ 25°c
  40ns/166ns
• сынақ жағдайы
  960V, 14A, 20Ohm, 15V
• кері қалпына келтіру уақыты (trr)
  1.4 µs
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
• жеткізуші құрылғы пакеті
  TO-263