Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  HEXFET®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  200 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  5.1A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  55mOhm @ 7.5A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  5V @ 150µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  54 nC @ 10 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  2290 pF @ 100 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  8-PQFN (5x6)
• қаптама / қорап
  8-PowerTDFN