Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  CoolMOS™
• пакет
  Tube
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  MOSFET (Metal Oxide)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  800 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  4A (Tc)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  10V
• rds on (макс) @ id, vgs
  1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  3.5V @ 700µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  10.05 nC @ 10 V
• vgs (макс)
  ±20V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  250 pF @ 500 V
• fet функциясы
  Super Junction
• қуат шығыны (максимум)
  32W (Tc)
• Жұмыс температурасы
  -55°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Through Hole
• жеткізуші құрылғы пакеті
  PG-TO251-3
• қаптама / қорап
  TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA