FF200R12KT4HOSA1

FF200R12KT4HOSA1

Өндіруші

IR (Infineon Technologies)

Өнім санаты

транзисторлар – igbts – модульдер

Сипаттама

IGBT MOD 1200V 320A 1100W

RFQ электрондық поштасы: [email protected] or Интернетте сұрайды

Техникалық сипаттамалар

  • сериясы
    C
  • пакет
    Bulk
  • бөлігінің күйі
    Active
  • igbt түрі
    Trench Field Stop
  • конфигурация
    Half Bridge
  • кернеу - коллектор эмиттерінің бұзылуы (макс)
    1200 V
  • ток - коллектор (ic) (макс)
    320 A
  • қуат - макс
    1100 W
  • vce(қосу) (макс) @ vge, ic
    2.15V @ 15V, 200A
  • ток - коллектордың үзілуі (макс)
    5 mA
  • кіріс сыйымдылығы (cies) @ vce
    14 nF @ 25 V
  • енгізу
    Standard
  • ntc термисторы
    No
  • Жұмыс температурасы
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • монтаждау түрі
    Chassis Mount
  • қаптама / қорап
    Module
  • жеткізуші құрылғы пакеті
    Module

FF200R12KT4HOSA1 Баға сұрау

Қоймада 1342
Саны:
Бірлік бағасы (анықтамалық баға):
113.62000
Мақсатты баға:
Барлығы:113.62000

Деректер тізімі