Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  eGaN®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  N-Channel
• технология
  GaNFET (Gallium Nitride)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  65 V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  2.7A (Ta)
• жетек кернеуі (макс. рдс қосулы, мин. рдс қосулы)
  5V
• rds on (макс) @ id, vgs
  130mOhm @ 500mA, 5V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.5V @ 250µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  0.45 nC @ 5 V
• vgs (макс)
  +6V, -4V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  52 pF @ 32.5 V
• fet функциясы
  -
• қуат шығыны (максимум)
  -
• Жұмыс температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• жеткізуші құрылғы пакеті
  Die
• қаптама / қорап
  Die