Техникалық сипаттамалар

• сериясы
  eGaN®
• пакет
  Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-Reel®
• бөлігінің күйі
  Active
• фет түрі
  3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
• fet функциясы
  GaNFET (Gallium Nitride)
• көз кернеуіне ағызу (vdss)
  100V
• ток - үздіксіз ағызу (id) @ 25°c
  1.7A, 500mA
• rds on (макс) @ id, vgs
  320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
• vgs(th) (макс) @ идентификатор
  2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
• қақпа заряды (qg) (макс) @ vgs
  0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
• кіріс сыйымдылығы (цисс) (макс) @ vds
  16pF @ 50V, 7pF @ 50V
• қуат - макс
  -
• Жұмыс температурасы
  -40°C ~ 150°C (TJ)
• монтаждау түрі
  Surface Mount
• қаптама / қорап
  9-VFBGA
• жеткізуші құрылғы пакеті
  9-BGA (1.35x1.35)